BVgox的測(cè)試條件
柵氧化層電容的介質(zhì)是二氧化硅.由于二氧化硅是絕緣體，在一般情況下是不導(dǎo)電的。但是當(dāng)有一個(gè)外加電場(chǎng)存在時(shí)，隨著外加電場(chǎng)的不斷增大，當(dāng)外加電場(chǎng)強(qiáng)度所提供的能量足以把一部分價(jià)帶的電子激發(fā)到導(dǎo)帶時(shí)，這個(gè)時(shí)候二氧化硅不再表現(xiàn)為絕緣性質(zhì)，而是開(kāi)始導(dǎo)電，這個(gè)時(shí)候所加的外加電壓的值就是我們所測(cè)試的電容擊穿電壓值。
測(cè)量NMOS柵氧化層擊穿電壓BVgox，首先在柵電容的一端多晶硅柵上加載DC掃描電壓，Vg從0V到12V，另一端PW襯底接地，測(cè)試電流Ig，得到Vg在Ig/Area=100 pA/um*2時(shí)的值，BVgox=Vg就是擊穿電壓。
測(cè)量PMOS柵氧化層擊穿電壓BVgox，首先在柵電容的一端襯底上加載DC掃描電壓，Vb從0V到12V，另一端多晶硅柵接地，測(cè)試電流Ib，得到Vb在Ib/Area=100 pA/um*2時(shí)的值，BVgox=Vb就是擊穿電壓。
影響電容BVgox的因素與影響電容Cgox的因素類似。
寄生MOS參數(shù)的測(cè)試結(jié)構(gòu)
CMOS工藝技術(shù)平臺(tái)的寄生MOS晶體管的結(jié)構(gòu)分別是Poly柵和M1柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試結(jié)構(gòu)，它們的版圖尺寸是依把工藝技術(shù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。
Poly柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試結(jié)構(gòu)。
M1柵場(chǎng)效應(yīng)品體管測(cè)試結(jié)構(gòu)。
寄生MOS參數(shù)Vt測(cè)試條件
測(cè)量Poly柵和M1柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓Vt的基本原理是電流常數(shù)測(cè)量，首先設(shè)定當(dāng)Id=0.1uA時(shí)，Poly柵和Metal 1柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)啟導(dǎo)通，此時(shí)的柵極電壓就是晶體管的閾值電壓。
測(cè)量Poly和M1柵NMOS閥值電壓Vt，首先設(shè)定Vd=1.1*VDD或者1.1*VDDA，Vs=Vb=0V，線性掃描Vg，從0V到12V，測(cè)得Vg在Id/W=0.1uA/um時(shí)的值，那么Vt=Vg。
測(cè)量Poly和M1柵PMOS閥值電壓Vt，首先設(shè)定Vd=﹣1.1*VDD或者﹣1.1*VDDA，Vs=Vb=0V，線性掃描Vg，從0V到﹣12V，測(cè)得Vg在Id/W=﹣0.1uA/um時(shí)的值，那么Vt=Vg。
影響Poly和M1柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管閾值電壓的因素
阱離子注入異常；離子注入損傷在退火過(guò)程中沒(méi)有激活；AA或多晶硅柵刻蝕后尺寸的異常。
PN結(jié)參數(shù)的測(cè)試條件
CMOS工藝技術(shù)平臺(tái)的PN結(jié)的測(cè)試結(jié)構(gòu)是n型二極管和p型二極管的二極管結(jié)構(gòu)，它們的版圖尺寸是依據(jù)工藝技術(shù)平臺(tái)的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)的。
電容Cjun的測(cè)試條件
測(cè)量n型二極管和p型二極管的電容Cjun的基本原理是在二極管的一端加載AC 100 KHz掃描電壓，另--端接地，從而測(cè)得電容C，Cjun=C/Area，Area是電容的面積。
測(cè)量n型二極管電容Cjun，首先在n型二極管的一端n型有源區(qū)上加載AC 100 KHz(VDD或者VDDA)掃描電壓，另一端PW上接地，從而測(cè)得電容C，Cjun=C/Area。
測(cè)量p型二極管電容Cjun，首先在p型二極管的一端NW襯底上加載AC 100 KHz(VDD或者VDDA)掃描電壓，另一端P型有源區(qū)上接地，從而測(cè)得電容C，Cjun=C/Area。
影響PN結(jié)電容Cjun的因素
阱離子注入異常；N+或者P+離子注入異常；離子注入損傷在退火過(guò)程中沒(méi)有激活；AA刻蝕尺寸異常。
