隨著VLSI電路規(guī)模的增大、復(fù)雜程度的提高，芯片的引腳相對(duì)門數(shù)減少，使得電路的可控性和可觀測(cè)性系數(shù)降低，電路測(cè)試變得十分復(fù)雜和困難，測(cè)試生成的費(fèi)用也呈指數(shù)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)的測(cè)試方法已難以全面而有效地驗(yàn)證復(fù)雜集成電路設(shè)計(jì)與制造的正確性，從而導(dǎo)致了可測(cè)試性設(shè)計(jì)的方法的出現(xiàn)。

          并且測(cè)試已經(jīng)成為集成電路設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中非常重要的因素，它已經(jīng)不再單純作為芯片產(chǎn)品的檢驗(yàn)、驗(yàn)證手段，而是與集成電路設(shè)計(jì)有著密切聯(lián)系的專門技術(shù)，與設(shè)計(jì)和制造成為了一個(gè)有機(jī)整體?？蓽y(cè)性設(shè)計(jì)（DFT）給整個(gè)測(cè)試領(lǐng)域開拓了一條切實(shí)可行的途徑，目前國(guó)際上大中型IC設(shè)計(jì)公司基本上都采用了可測(cè)性設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)流程，DFT已經(jīng)成為芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

          DFT的基本原理：轉(zhuǎn)變測(cè)試思想，將輸入信號(hào)的枚舉與排列的測(cè)試方法（即完全測(cè)試），轉(zhuǎn)變?yōu)閷?duì)電路內(nèi)各個(gè)節(jié)點(diǎn)的測(cè)試，即直接對(duì)電路硬件組成單元進(jìn)行測(cè)試，降低測(cè)試的復(fù)雜性。具體實(shí)現(xiàn)方法包括將復(fù)雜的邏輯電路分塊；采用附加邏輯和電路使測(cè)試生成容易，并能覆蓋全部的硬件節(jié)點(diǎn)；添加自檢測(cè)模塊，使測(cè)試具有智能化和自動(dòng)化。

          DFT的不足之處是它對(duì)設(shè)計(jì)本身增加了硬件開銷，也會(huì)在不同程度上影響系統(tǒng)的性能，因此必須慎重考慮。另外，可測(cè)性設(shè)計(jì)的測(cè)試生成通常是針對(duì)門級(jí)器件的外節(jié)點(diǎn)，而不是直接針對(duì)晶體管級(jí)。

“測(cè)試”和“驗(yàn)證”的區(qū)別

          提到測(cè)試，人們常常會(huì)混淆兩個(gè)基本概率:“驗(yàn)證”（Verification）和“測(cè)試”（Testing）。

          一般來(lái)說(shuō)，驗(yàn)證（Verification）的目的是檢查設(shè)計(jì)中的錯(cuò)誤，確保設(shè)計(jì)符合其設(shè)計(jì)規(guī)范和所期望的功能；而測(cè)試（Testing）則是檢查芯片的加工制造過(guò)程中所產(chǎn)生的缺陷和故障。

          驗(yàn)證是檢驗(yàn)電路的邏輯、功能、時(shí)序是否滿足要求，其內(nèi)容一般是功能性的，如上圖所示，驗(yàn)證是把Implementation后的結(jié)果與Specification時(shí)的定義相比較，如果驗(yàn)證不匹配，則需要更改Implementation 。驗(yàn)證如同芯片設(shè)計(jì)過(guò)程中的一道關(guān)卡，如果驗(yàn)證沒(méi)有通過(guò)，將不能進(jìn)行后面的所有工作。驗(yàn)證一般采用仿真的技術(shù)來(lái)進(jìn)行，通過(guò)計(jì)算機(jī)建立仿真環(huán)境，給被測(cè)電路添加激勵(lì)，分析響應(yīng)或者探查電路內(nèi)部的信息。按照驗(yàn)證的不同階段，仿真可分為功能級(jí)仿真、門級(jí)仿真、版圖后仿真。

          然而一個(gè)正確無(wú)誤的設(shè)計(jì)并不能保證制造出來(lái)的芯片一定沒(méi)有問(wèn)題，因?yàn)樾酒谥圃爝^(guò)程中，總會(huì)收到種種不確定因素的影響，比如環(huán)境干擾、硅片質(zhì)量不一致、機(jī)臺(tái)設(shè)置偏差、工程師失誤操作等因素的影響，制造出來(lái)的芯片并不完全都能正常工作，那么如何檢驗(yàn)出有制造缺陷的芯片，這就是屬于測(cè)試的范疇，現(xiàn)在***的7nm制造工藝中，線寬非常精細(xì)，工序數(shù)量多，非常容易受到干擾的影響，制造故障變得尤為明顯，所以加大測(cè)試的力度，保證芯片合格尤為重要。

          DFT技術(shù)簡(jiǎn)單說(shuō)就是在芯片設(shè)計(jì)中添加DFT邏輯，然后等芯片制造完成后，通過(guò)事先加入的DFT邏輯對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，挑選出沒(méi)有問(wèn)題的芯片。

          DFT技術(shù)更專業(yè)一點(diǎn)說(shuō)法是為了改善電路的可測(cè)性而形成的一門學(xué)科，它通過(guò)增加一些硬件電路，使得電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的可控性和可觀察性變強(qiáng)，使測(cè)試時(shí)間變短、故障覆蓋率更高。

          除了加入DFT邏輯能對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，成都中冷研發(fā)的TS-580高低溫沖擊氣流儀能夠進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)，如：芯片、微電子器件、集成電路等，該高低溫氣流儀的性能達(dá)到了更高的標(biāo)準(zhǔn)。TS-580以速度、精度和可靠性作為基本設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，提供了非常先進(jìn)的溫度測(cè)試能力。溫度轉(zhuǎn)換從-55℃到+125℃之間轉(zhuǎn)換約 10秒，并有更廣泛的溫度范圍-80℃到 +225℃; 經(jīng)長(zhǎng)期的多工況驗(yàn)證，滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。TS-580是純機(jī)械制冷，無(wú)需液氮或任何其它消耗性制冷劑。