WAT又稱WAT工藝控制監(jiān)測(cè)，是在晶圓產(chǎn)品流片結(jié)束之后和品質(zhì)檢驗(yàn)之前，測(cè)量特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)。目的是通過測(cè)試晶圓上特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估半導(dǎo)體制造過程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)平臺(tái)的電性規(guī)格要求。WAT數(shù)據(jù)可以作為晶圓產(chǎn)品交貨的質(zhì)量憑證，另外WAT數(shù)據(jù)還可以反映生產(chǎn)線的實(shí)際生產(chǎn)情況，通過收集和分析WAT數(shù)據(jù)可以監(jiān)測(cè)生產(chǎn)線的情況，也可以判斷生產(chǎn)線變化的趨勢(shì)，對(duì)可能發(fā)生的情況進(jìn)行預(yù)警。

集成電路的設(shè)計(jì)往往十分復(fù)雜，包含復(fù)雜的電路，因此芯片在出廠前需要進(jìn)行各項(xiàng)檢測(cè)，以保證其電性參數(shù)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，最終確保芯片可以在終端產(chǎn)品正常運(yùn)作。所涉及的檢測(cè)有原物料檢驗(yàn)、晶圓前段工藝（FEOL）監(jiān)控、晶圓后段工藝（BEOL）監(jiān)控、晶圓接受測(cè)試（WAT）、晶圓良率測(cè)試（Chip Probing或Circuit Probing，CP）、芯片封裝工藝監(jiān)控、芯片最終測(cè)試（Final Test，F(xiàn)T）、系統(tǒng)級(jí)測(cè)試（System Level Test，SLT）等，其中WAT檢測(cè)包含大多數(shù)使用器件的參數(shù)，如電阻器的阻值、MOS的的柵極氧化層電容值、MOSFET的特性等。

隨著現(xiàn)代集成電路的設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，晶圓包含的元件數(shù)量巨大，也給測(cè)試帶來(lái)諸多挑戰(zhàn)：

電噪聲干擾：

由于電磁輻射、電磁感應(yīng)或電流耦產(chǎn)生的電噪聲可以引起電信號(hào)的干擾，它會(huì)對(duì)測(cè)試的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性產(chǎn)生負(fù)面影響，從而導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的失真和不可靠。

電磁相互干擾：

在晶圓測(cè)試過程中，不同測(cè)試信號(hào)之間可能會(huì)發(fā)生電磁相互干擾。這可能導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的失真，或者在測(cè)試過程中引入其他問題。

溫度管理：

在高密度的集成電路上進(jìn)行測(cè)試，功耗和熱量都會(huì)顯著增加。溫度的升高會(huì)影響電路的性能和可靠性。因此確保測(cè)試過程溫度的穩(wěn)定和均勻，以及主動(dòng)并及時(shí)散熱是保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確的關(guān)鍵。

中冷低溫研發(fā)的TC200高低溫度卡盤具有更廣泛的溫度范圍-65oC 到 +200oC 擴(kuò)展溫度范圍，低噪聲，直流控制系統(tǒng)。在前面板上可設(shè)置多達(dá)5個(gè)溫度和斜坡/浸泡/循環(huán)熱循環(huán)裝置，無(wú)需液氮或任何其它消耗性制冷劑。高效的冷卻系統(tǒng)，用于可靠、低溫測(cè)試混合動(dòng)力車和其他高功率設(shè)備。

TC200高低溫度卡盤特點(diǎn)：

? 溫度控制真空卡盤可容納300毫米的晶圓.

? 高精度，控溫性好，穩(wěn)定性均勻.

? 可提供標(biāo)準(zhǔn)、高隔離性和防護(hù)配置.

? 先進(jìn)的卡盤設(shè)計(jì)提供了低雜散電容和高接地電阻，直流電源能使電噪聲最小化.

? 可與手動(dòng)或自動(dòng)探測(cè)站、激光切割器或檢查站進(jìn)行接口。