隨著IC產業(yè)的飛速發(fā)展，IC的復雜度及其電氣參數的性能也日益提高，同時也給IC測試帶來了眾多難題，其中測試的精確度及穩(wěn)定性是一直困擾工程師的兩大難題，尤其在量產ATE測試時表現更為嚴重，那么，如何在測試中做到精確、穩(wěn)定的測試這些IC的各項性能參數，以確保產品質量，并避免由于測試不穩(wěn)定而導致反復重測而浪費大量測試時間呢？

       在IC的測試中，電壓的測試是所有測試參數中最為常見的一種參數，尤其是模擬芯片的測試，電壓測試更顯常見及重要。在調試中也經常會遇到電壓測的不精確或者不穩(wěn)定的現象，對于測試不精確的問題，目前主要采用correlation的辦法，來調整測試的誤差，但這種方法對于線性的芯片尚可使用，但對于非線性的芯片卻無用武之地。針對測試不穩(wěn)定的問題，大多采用多次測量取平均值的辦法來解決，但這種辦法也是治標不治本，同樣會給產品的質量帶來隱患。那么如何解決電壓測試的這些問題呢？

       一般在開發(fā)測試程序之前必須了解所測試的芯片的功能及性能參數，這樣在開發(fā)及調試程序時才能心中有數，比如測試LDO的輸出電壓參數，你必須清楚：在當前的輸入及輸出濾波電容之下，它的輸入電壓加上之后，輸出電壓需要多長時間才能達到穩(wěn)定，而你在程序中設定的等待時間必須大于這個穩(wěn)定時間，這樣才能做到測試的準確且穩(wěn)定。當然LDO的輸出穩(wěn)定時間一般都在微秒級（幾十到上百微秒），所以調試時不太會遇到此類問題，但有的時候我們需要測試芯片內部的基準電壓，但又沒有辦法直接進行測試，只能通過其他的引腳間接測試。

       我們在ATE測試時會測試一些靜態(tài)直流參數，如bypass、Vo1、Vo2端電壓值，當你仔細研讀此芯片的手冊，你會發(fā)現在電源電壓為5V、Cbypass為1Uf時（注意不同的電源電壓及Cbypass電容，其穩(wěn)定時間也是不同的），bypass端的電壓需要至少100ms才能達到穩(wěn)定，而Vo1、Vo2端的電壓又受bypass端電壓的影響，所以要想穩(wěn)定且準確的測試這些直流參數，必須要在芯片上電之后等待100ms以上再進行測試（必須考慮不同批次芯片間的差異，所以在實際測試中的等待時間可在120ms左右），但對于量產測試，測試時間的長短將直接影響到測試效率及測試費用，我們必須縮短測試時間！那么如何來解決這個問題呢，一般我們可以采用如下兩種辦法：

       第一，可以減小Cbypass的電容，這樣同樣的充電電流及電壓，充電時間會隨著電容的減小而減少，可以使用0.1uF或者更小的電容來替代，但這樣做肯定會影響到后面的交流參數（如THD）的測試，需要通過測試評估或外加繼電器來解決。

       第二，可以采用預充電的方式對Cbypass進行提前大電流充電，如果bypass端在電源電壓為5V時正常情況下是2.5V左右，我們可以預充電到2.3V，這樣同樣可以節(jié)省很多時間，但必須注不要在充電的同時給bypass端帶來額外的干擾，而導致芯片不能正常工作。

       震蕩在芯片調試時也是比較常見的現象，由此給芯片測試也帶來諸多問題，引起震蕩的原因有很多：輸出容性負載的大小、阻抗不匹配、不當的反饋回路等。但是我們在實際調試中可能沒有注意到這一點，如果選用的輸出電容不是在芯片穩(wěn)定所需要的容值范圍之內，那么輸出就會產生震蕩，導致輸出測試不準且不穩(wěn)定。另外震蕩不光是在芯片正常工作時發(fā)生，在靜態(tài)時也有可能發(fā)生。尤其當你測試放大倍數比較高的運放時，此時的輸入引腳要特別注意，必要時要進行隔離，以免引入不必要的噪聲而導致輸出產生震蕩。

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