靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過(guò)度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和永久性的，會(huì)造成電路直接燒毀。所以預(yù)防靜電損傷是所有IC設(shè)計(jì)和制造的頭號(hào)難題。
靜電，通常都是人為產(chǎn)生的，如生產(chǎn)、組裝、測(cè)試、存放、搬運(yùn)等過(guò)程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設(shè)備中，甚至元器件本身也會(huì)累積靜電，當(dāng)人們?cè)诓恢榈那闆r下使這些帶電的物體接觸就會(huì)形成放電路徑，瞬間使得電子元件或系統(tǒng)遭到靜電放電的損壞(這就是為什么以前修電腦都必須要配戴靜電環(huán)托在工作桌上，防止人體的靜電損傷芯片)。
那么，如何防止靜電放電損傷呢？在電路里面設(shè)計(jì)保護(hù)電路，當(dāng)外界有靜電的時(shí)候我們的電子元器件或系統(tǒng)能夠自我保護(hù)避免被靜電損壞(其實(shí)就是安裝一個(gè)避雷針)。根據(jù)靜電的產(chǎn)生方式以及對(duì)電路的損傷模式不同通常分為四種測(cè)試方式：人體放電模式(HBM: Human-Body Model)、機(jī)器放電模式(Machine Model)、元件充電模式(CDM: Charge-Device Model)、電場(chǎng)感應(yīng)模式(FIM: Field-Induced Model)，但是業(yè)界通常使用前兩種模式來(lái)測(cè)試(HBM, MM)。
人體放電模式(HBM）
當(dāng)然就是人體摩擦產(chǎn)生了電荷突然碰到芯片釋放的電荷導(dǎo)致芯片燒毀擊穿。業(yè)界對(duì)HBM的ESD標(biāo)準(zhǔn)也有跡可循(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人體電容為100pF，等效人體電阻為1.5Kohm)，或者國(guó)際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JESD22-A114-A)也有規(guī)定。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它規(guī)定小于<2kV的則為Class-1，在2kV~4kV的為class-2，4kV~16kV的為class-3。
機(jī)器放電模式(MM)
當(dāng)然就是機(jī)器(如robot)移動(dòng)產(chǎn)生的靜電觸碰芯片時(shí)由pin腳釋放，次標(biāo)準(zhǔn)為EIAJ-IC-121 method 20(或者標(biāo)準(zhǔn)EIA/JESD22-A115-A)，等效機(jī)器電阻為0 (因?yàn)榻饘?，電容依舊為100pF。由于機(jī)器是金屬且電阻為0，所以放電時(shí)間很短，幾乎是ms或者us之間。但是更重要的問(wèn)題是，由于等效電阻為0，所以電流很大，所以即使是200V的MM放電也比2kV的HBM放電的危害大。而且機(jī)器本身由于有很多導(dǎo)線互相會(huì)產(chǎn)生耦合作用，所以電流會(huì)隨時(shí)間變化而干擾變化。
ESD的測(cè)試方法類似FAB里面的GOI測(cè)試，指定pin之后先給他一個(gè)ESD電壓，持續(xù)一段時(shí)間后，然后再回來(lái)測(cè)試電性看看是否損壞，沒(méi)問(wèn)題再去加一個(gè)step的ESD電壓再持續(xù)一段時(shí)間，再測(cè)電性，如此反復(fù)直至擊穿，此時(shí)的擊穿電壓為ESD擊穿的臨界電壓(ESD failure threshold Voltage)。通常我們都是給電路打三次電壓(3 zaps)，為了降低測(cè)試周期，通常起始電壓用標(biāo)準(zhǔn)電壓的70% ESD threshold，每個(gè)step可以根據(jù)需要自己調(diào)整50V或者100V。另外，因?yàn)槊總€(gè)chip的pin腳很多，所以會(huì)分為幾種組合：I/O-pin測(cè)試(Input and Output pins)、pin-to-pin測(cè)試、Vdd-Vss測(cè)試(輸入端到輸出端)、Analog-pin。
1. I/O pins
就是分別對(duì)input-pin和output-pin做ESD測(cè)試，而且電荷有正負(fù)之分，所以有四種組合：input+正電荷、input+負(fù)電荷、output+正電荷、output+負(fù)電荷。測(cè)試input時(shí)候，則output和其他pin全部浮接(floating)，反之亦然。
2.pin-to-pin測(cè)試
靜電放電發(fā)生在pin-to-pin之間形成回路，但是如果要每每?jī)蓚€(gè)腳測(cè)試組合太多，因?yàn)槿魏蔚腎/O給電壓之后如果要對(duì)整個(gè)電路產(chǎn)生影響一定是先經(jīng)過(guò)VDD/Vss才能對(duì)整個(gè)電路供電，所以改良版則用某一I/O-pin加正或負(fù)的ESD電壓，其他所有I/O一起接地，但是輸入和輸出同時(shí)浮接(Floating)。
3.Vdd-Vss之間靜電放電
靜電放電發(fā)生在pin-to-pin之間形成回路，但是如果要每每?jī)蓚€(gè)腳測(cè)試組合太多，因?yàn)槿魏蔚腎/O給電壓之后如果要對(duì)整個(gè)電路產(chǎn)生影響一定是先經(jīng)過(guò)VDD/Vss才能對(duì)整個(gè)電路供電，所以改良版則用某一I/O-pin加正或負(fù)的ESD電壓，其他所有I/O一起接地，但是輸入和輸出同時(shí)浮接(Floating)。
4.Analog-pin放電測(cè)試
因?yàn)槟M電路很多差分比對(duì)(Differential Pair)或者運(yùn)算放大器(OP AMP)都是有兩個(gè)輸入端的，防止一個(gè)損壞導(dǎo)致差分比對(duì)或運(yùn)算失效，所以需要單獨(dú)做ESD測(cè)試，當(dāng)然就是只針對(duì)這兩個(gè)pin，其他pin全部浮接(floating)。
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