在可靠性測試領(lǐng)域，有許多常見的英文縮寫及其對應(yīng)的描述。以下是一些常見的縮寫及其解釋：
HTOL (High Temperature Operating Life)
高溫工作壽命：在高溫下測試器件的工作壽命，以評估其可靠性。
HTS (High Temperature Storage)
高溫存儲：在高溫環(huán)境中存儲器件，以評估其長期穩(wěn)定性。
TCT(Temperature Cycling Test)
溫度循環(huán)測試：通過反復(fù)的加熱和冷卻循環(huán)測試器件的可靠性。
HAST (Highly Accelerated Stress Test）
高加速應(yīng)力測試：在高溫高濕環(huán)境下測試器件，以評估其可靠性。
ESD(Electrostatic Discharge)
靜電放電：測試器件抵抗靜電放電損壞的能力。
EM (Electromigration)
電遷移：測試金屬互連在高電流密度下的可靠性。
TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown)
時(shí)間依賴的介質(zhì)擊穿：測試絕緣層在電場作用下的長期可靠性。
BTI (Bias Temperature Instability)
偏壓溫度不穩(wěn)定性：測試器件在偏壓和溫度條件下的穩(wěn)定性。
HCI (Hot Carrier Injection)
熱載流子注入：測試高能載流子對器件可靠性的影響。
NBTI(Negative Bias Temperature Instability)
負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性：評估PMOS晶體管在負(fù)偏壓和高溫下的可靠性。
PBTI(Positive Bias Temperature Instability)
正偏壓溫度不穩(wěn)定性：評估NMOS晶體管在正偏壓和高溫下的可靠性。
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