wafer chuck，即晶圓卡盤，是半導(dǎo)體設(shè)備中用于固定和支撐晶圓的關(guān)鍵部件，為晶圓在各種加工工藝中提供穩(wěn)定的承載平臺，確保晶圓在加工過程中的位置精度和穩(wěn)定性。

wafer chuck作為半導(dǎo)體設(shè)備中的關(guān)鍵部件，其性能的優(yōu)劣直接影響著半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和效率。

ICP與CCP的差異本質(zhì)在于能量耦合方式，二者在先進(jìn)制程中形成互補。

Bscan是一種用于芯片測試和調(diào)試的技術(shù)，主要用于檢測和診斷芯片內(nèi)部或PCB（印刷電路板）上的互連故障。

在測試IOH、IOL的時候是需要設(shè)置VOL、VOL。 在測試VOH、VOL的時候是需要設(shè)置IOH、IOL。

HAST 130℃ 85%RH 96h的實驗條件強(qiáng)度是要高于THB 85℃ 85%RH 的1000h的。

在 ICP 刻蝕設(shè)備中，感應(yīng)線圈一般位于反應(yīng)腔室的上方或周圍，當(dāng)射頻電流通過線圈時，會產(chǎn)生周期性變化的磁場。

可靠性試驗是指通過試驗測定和驗證產(chǎn)品的可靠性。研究在有限的樣本、時間和使用費用下，找出產(chǎn)品薄弱環(huán)節(jié)。可靠性試驗是為了解、評價、分析和提高產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的各種試驗的總稱。

數(shù)字邏輯測試（Digital Logic Testing）主要用于檢測芯片的數(shù)字電路部分，確保其邏輯功能、時序特性和結(jié)構(gòu)完整性。

環(huán)境應(yīng)力篩選（Environment Stress Screen，ESS）通過向電子或機(jī)電產(chǎn)品施加在設(shè)計范圍之內(nèi)的合理的環(huán)境應(yīng)力（如溫循、隨機(jī)振動等）或電應(yīng)力，將其內(nèi)部的潛在缺陷加速暴露出來的過程。

Burn-in是一種專門設(shè)計的測試向量，用于在芯片老化測試過程中激活芯片內(nèi)部的各個模塊，確保芯片在高溫、高電壓等加速應(yīng)力條件下能夠正常工作，從而提前發(fā)現(xiàn)潛在的缺陷和故障，提高芯片的可靠性和質(zhì)量。

在微電子器件的可靠性驗證中，溫度循環(huán)（Temperature Cycling, TC）與熱沖擊（Thermal Shock, TS）是兩項至關(guān)重要的環(huán)境應(yīng)力測試。

三溫測試是指對芯片在三種不同溫度條件下（常溫、低溫、高溫）進(jìn)行的性能測試，旨在全面評估芯片在不同環(huán)境溫度下的可靠性和穩(wěn)定性。

PCW系統(tǒng)（Process Cooling Water System）即工藝?yán)鋮s水系統(tǒng)，亦稱制程冷卻水系統(tǒng)，是工業(yè)生產(chǎn)中為設(shè)備和機(jī)械提供冷卻的關(guān)鍵水循環(huán)系統(tǒng)?。

在電子產(chǎn)品可靠性測試領(lǐng)域，HAST和PCT是兩種常用的高溫高濕加速老化測試方法。

THB(雙85)、BHAST、UHAST到底有哪些區(qū)別？HAST與THB可以進(jìn)行選擇性驗證；如果做了THB或者HAST，則UHAST可以不做。

ChillerZC209是一臺對循環(huán)液進(jìn)行溫度控制并輸出冷熱液的裝置。具有溫度穩(wěn)定性高、溫度范圍廣、故障自診斷、外部通信等豐富功能。

為了研究銅（Cu）互連與不同化學(xué)性質(zhì)玻璃基板的兼容性和可靠性，我們在不同玻璃基板上制備了銅測試結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行了有偏置的高加速應(yīng)力測試（HAST）。

晶圓探針臺的工作原理是通過一組微型探針與芯片的測試點接觸，以實現(xiàn)電信號的傳輸和測量。這些探針通常由金屬材料制成，能夠在微米級別的精度下進(jìn)行定位。

TC系列是一款溫度范圍為-65℃(-55℃)到200℃氣冷型高低溫卡盤系統(tǒng)，主要由氣冷高低溫卡盤和氣冷溫控器組成。

探針臺是一種晶圓探針測試設(shè)備，探針測試在半導(dǎo)體器件制造流程具有重要的地位，通過探針測試，可及時發(fā)現(xiàn)晶圓中性能異常的晶粒，減少后續(xù)工序的加工耗費。

環(huán)境應(yīng)力篩選（Environmental Stress Screening, ESS）試驗是一種通過模擬產(chǎn)品在極端環(huán)境條件下的使用情況，來檢測產(chǎn)品設(shè)計和制造過程中可能存在的潛在缺陷的測試方法。

熱壓鍵合 (TCB)?工藝是先進(jìn)封裝中的一項關(guān)鍵技術(shù)，它能夠集成高密度組件，如 3D 堆疊芯片和高帶寬存儲器 (HBM)。

半導(dǎo)體設(shè)備chiller即半導(dǎo)體冷卻器，是一種用于半導(dǎo)體制造過程中對設(shè)備或工藝進(jìn)行冷卻的裝置。

集成電路測試是在集成電路制造過程中和制造完成后對集成電路芯片進(jìn)行功能和性能驗證的過程，以確保其質(zhì)量和可靠性。

在半導(dǎo)體晶體管尺寸越來越小、芯片功能日益復(fù)雜的趨勢下，系統(tǒng)級測試（簡稱 SLT）變得至關(guān)重要。

芯片老化試驗是一種對芯片進(jìn)行長時間運行和負(fù)載測試的方法，以模擬芯片在實際使用中的老化情況。

ATE機(jī)臺根據(jù)測試芯片的類型不同，可分為存儲器測試系統(tǒng)、數(shù)字電路測試系統(tǒng)、模擬電路測試系統(tǒng)和混合信號電路測試系統(tǒng)四大類。

分選機(jī)和探針臺是將芯片的引腳與測試機(jī)的功能模塊連接起來并實現(xiàn)批量自動化測試的專用設(shè)備。

ThermoTST熱流儀可為測試機(jī)提供相應(yīng)溫度環(huán)境，搭配測試機(jī)做功率器件特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗。

HTOL與LTOL測試都是為了加速集成電路在極端溫度條件下的老化過程，從而快速識別潛在的失效模式。

在可靠性測試領(lǐng)域，有許多常見的英文縮寫及其對應(yīng)的描述。

原子層蝕刻（Atomic Layer Etching, ALE）是一種高精度的刻蝕技術(shù)，可以視為原子層沉積（Atomic Layer Deposition, ALD）的逆向過程。

功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。

TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶體管）的可靠性評測是一個綜合性的評估過程，是確保TFT液晶屏等電子產(chǎn)品質(zhì)量和性能穩(wěn)定的重要環(huán)節(jié)。

CP測試是指在晶圓還未切割和封裝之前，直接在晶圓上對每一個芯片單元（Die）進(jìn)行的電性和功能性測試。

集成電路測試是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵步驟，其中最主要的兩類測試是CP測試（Chip Probing）和FT測試（Final Test）。

探針卡在集成電路測試中的作用至關(guān)重要。它不僅是ATE與晶圓之間的接口，也是確保芯片良率和質(zhì)量的重要工具。

參數(shù)測試通常是在晶圓片制造過程完成后 (即已進(jìn)行了鈍化) 和對產(chǎn)品裸片的電氣性能分選(電分選)前執(zhí)行。

每一顆功率芯片都要進(jìn)行指標(biāo)測試，每一張晶圓都要進(jìn)行篩選測試。在片的篩選測試必須要具備的是晶圓自動化測試夾具，即自動化高壓探針臺，以及靜態(tài)參數(shù)測試儀表。

在芯片的規(guī)格書中，對散熱設(shè)計最有幫助的有三個值：功耗，溫度要求和熱阻參數(shù)。

封測在集成電路領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。具體可以分為：晶圓測試、芯片封裝、芯片終測、系統(tǒng)級測試4個階段。

接觸式高低溫沖擊機(jī)，能滿足高溫或者低溫條件下帶電測試需求，系統(tǒng)可以在IC上提供快速和準(zhǔn)確的溫度轉(zhuǎn)換。

Mechanical Devices開發(fā)生產(chǎn)并向主要半導(dǎo)體器件制造商提供創(chuàng)新的成本效益熱控制單元，以測試IC器件。

高加速提升測試和高加速應(yīng)力篩選是什么意思呢？它們與老化測試有何不同？

老化測試是篩選和檢測其產(chǎn)品中任何高潛在故障的最佳方法。

測試過程中使用的老化測試類型將取決于不同的要求。如果不確定哪種測試方法最適合，可以參照以下三種不同類型的可用測試及其優(yōu)缺點，來選擇適用的方法。

準(zhǔn)分子（最初是激發(fā)二聚體的簡稱）是由兩種物質(zhì)形成的短壽命二聚體或異二聚體分子，其中至少一種物質(zhì)的價殼層被電子完全填充（例如，惰性氣體）。

通過進(jìn)行老化測試來復(fù)制實際的現(xiàn)場應(yīng)力環(huán)境有助于降低故障率。老化測試對于確保生產(chǎn)線的質(zhì)量控制至關(guān)重要。

驗證一個產(chǎn)品的工作壽命最直接的方法就是直接模擬它實際受到的工作環(huán)境，觀察它正常工作的時間。

SOC測試是保證芯片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵步驟。隨著SOC集成度的提高，測試復(fù)雜性也顯著增加，需要更多的測試向量和時間。

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、集成電路和其他電子設(shè)備的設(shè)計、制造和可靠性測試過程中。

集成電路測試的基本原則是通過測試向量對芯片施加激勵，測量芯片響應(yīng)輸出(response)，與事先預(yù)測的結(jié)果比較。

靜電卡盤就是一個典型的細(xì)分零部件市場，其在半導(dǎo)體制造工藝的多個環(huán)節(jié)扮演著重要作用。

HBM 制造的關(guān)鍵是TSV 工藝，它的目的是會在芯片上打孔。

靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)，應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)造成過度電應(yīng)力(EOS: Electrical Over Stress)破壞的主要元兇

光電子器件是電子信息產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，是光電子技術(shù)的關(guān)鍵和核心部件。

400G光模塊主要用于光電轉(zhuǎn)換，電信號在發(fā)送端被轉(zhuǎn)換為光信號，然后通過光纖傳輸，在接收端，光信號被轉(zhuǎn)換成電信號。

雙85試驗是一種環(huán)境應(yīng)力加速試驗，通常在溫度85℃、濕度85%RH的條件下進(jìn)行。這種試驗主要用于評估產(chǎn)品在高溫高濕環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

通過使用SLT在仿真的終端環(huán)境中對待測芯片進(jìn)行功能測試，設(shè)備制造商可以預(yù)防使用傳統(tǒng)晶圓和封裝測試技術(shù)難以檢測到的漏檢故障。

HAST測試是一種用于評估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測試方法。

系統(tǒng)級測試（SLT）是指在仿真的終端使用場景中對待測芯片（DUT）進(jìn)行測試。

芯片HAST測試是一種用于評估產(chǎn)品在高溫、高濕以及高壓條件下的可靠性和壽命的測試方法。

ZONGLEN 熱流儀可兼容市面上各品牌光學(xué)檢測設(shè)備，完成再電高低溫環(huán)境下的光學(xué)性能測試，是光學(xué)檢測設(shè)備必不可少的組成之一。

常見的非恒定應(yīng)力譜和組合應(yīng)力包括：步進(jìn)應(yīng)力試驗；漸進(jìn)應(yīng)力試驗；?高加速壽命試驗（HALT）（設(shè)備級）；高加速應(yīng)力篩選（HASS）（設(shè)備級）；高加速溫度和濕度應(yīng)力試驗（HAST）（零件級）。

光模塊作為光通信中的重要組成部分，是實現(xiàn)光信號傳輸過程中光電互相轉(zhuǎn)換的光電子器件。

在劃片之前必須經(jīng)過的CP芯片測試，一方面驗證IC各項參數(shù)及功能是否達(dá)到設(shè)計要求，另一方面把參數(shù)或功能失效的IC從中標(biāo)示出來。

隨著IC產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，其中測試的精確度及穩(wěn)定性是兩大難題，尤其在量產(chǎn)ATE測試時表現(xiàn)更為嚴(yán)重。

IC測試主要的目的是將合格的芯片與不合格的芯片區(qū)分開，保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。

在AECQ100車規(guī)認(rèn)證流程中，很多的實驗前后都需要進(jìn)行常溫或者高低溫的測試。

加速試驗?zāi)Ｐ褪菍Ξa(chǎn)品在正常應(yīng)力水平下以及一個或多個加速應(yīng)力水平下的關(guān)鍵因素進(jìn)行試驗而導(dǎo)出的。

HAST測試被廣泛應(yīng)用于各種芯片產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)過程中，包括微處理器、存儲芯片、傳感器芯片等

加速試驗是指在保證不改變產(chǎn)品失效機(jī)理的前提下，通過強(qiáng)化試驗條件，使受試產(chǎn)品加速失效，來評估產(chǎn)品在正常條件下的可靠性或壽命指標(biāo)。

HAST加速老化技術(shù)是一種在芯片行業(yè)常用的測試方法，用于模擬芯片在實際使用中可能遇到的極端環(huán)境和高溫高濕的工作環(huán)境，以檢驗芯片的可靠性和壽命。

IGBT是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于大功率應(yīng)用中，如電動汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、UPS等。

光模塊對單板體現(xiàn)的主要性能指標(biāo)共同決定了光模塊的性能和適用范圍。

浸沒式液冷是指將發(fā)熱的電子元器件（如CPU、GPU、內(nèi)存和硬盤等）浸沒在冷媒（冷卻液）中，依靠液體流動循環(huán)帶走熱量。

光子集成電路（PIC）是利用光子學(xué)原理實現(xiàn)信息傳輸和處理的電路，它可以在高速、大帶寬和低能耗的條件下實現(xiàn)高效的信息傳輸和處理。

晶圓背冷基本上用的是氦氣冷卻，因為氣相的氦氣具有突出的化學(xué)惰性，且熱導(dǎo)率、比熱容均大于除氫氣以外的任何其他氣體。

光模塊能耗的激增給數(shù)據(jù)中心的成本端帶來巨大壓力，解決其能耗問題成為當(dāng)下光模塊技術(shù)更新的關(guān)鍵。

溫度循環(huán)試驗、溫度沖擊試驗和熱沖擊試驗等，被用于模擬和評估光模塊在高低溫沖擊下的性能表現(xiàn)。

車規(guī)級汽車電子比較相關(guān)的就是 AEQ 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q100 是一種基于封裝集成電路應(yīng)力測試的失效機(jī)制。

光模塊又稱光收發(fā)一體模塊，是實現(xiàn)光通信系統(tǒng)中光信號和電信號轉(zhuǎn)換的核心部件，主要由光器件、功能電路和光接口等構(gòu)成。

車規(guī)級芯片作為汽車的核心組成部分，對車規(guī)級芯片進(jìn)行嚴(yán)格的測試，是確保汽車質(zhì)量和安全性的重要手段。

HAST高加速壽命試驗箱，主要用于評估在濕度環(huán)境下產(chǎn)品或者材料的可靠性

AEC-Q為車用可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)，主要針對車載芯片進(jìn)行嚴(yán)格的質(zhì)量和可靠性確認(rèn)，特別是對產(chǎn)品功能與性能進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范測試。

高低溫試驗箱零配件維護(hù)保養(yǎng)在全部維護(hù)保養(yǎng)中占十分關(guān)鍵的一部分，日常維護(hù)保養(yǎng)不可忽視。

兩箱式冷熱沖擊試驗箱是一種用于測試產(chǎn)品耐受能力的設(shè)備，通過不斷變換溫度，檢測產(chǎn)品是否出現(xiàn)受損情況。

接觸式高低溫沖擊機(jī)ThermoTST ATC系列采用先進(jìn)的設(shè)計和技術(shù)，具有廣泛的溫度范圍

晶圓溫循可靠性測試的種類和測試條件

晶圓背冷技術(shù)作為一種有效的溫度管理手段，不僅保證了晶圓溫度的均勻性，還增強(qiáng)了晶圓處理過程中的穩(wěn)定性。

HASS也稱高加速應(yīng)力篩選實驗，目的是為了使得生產(chǎn)的產(chǎn)品不存在任何隱含的缺陷或者在產(chǎn)品還沒出廠前找到并解決這些缺陷。

溫度偏差：試驗箱（室）穩(wěn)定狀態(tài)下，工作空間各測量點在規(guī)定時間內(nèi)實測最高溫度和最低溫度與設(shè)定溫度的上下偏差。

氣處理裝置的目標(biāo)是降低廢氣中的有害物質(zhì)濃度，確保排放符合環(huán)境法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)，保護(hù)環(huán)境和人類健康。

真空吸盤主要有非熱卡盤和熱卡盤兩種類型。熱卡盤具有整體加熱或冷卻功能，可在加工過程中將晶圓保持在特定溫度。

TC高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時，機(jī)械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用。

隨著設(shè)計規(guī)則的縮小，許多蝕刻工藝都轉(zhuǎn)向了非?？焖俚牡入x子體蝕刻工藝步驟，這些步驟需要對所有反應(yīng)輸入進(jìn)行高度精確的控制。

等離子體蝕刻可能是半導(dǎo)體制造中最重要的工藝，也可能是僅次于光刻的所有晶圓廠操作中最復(fù)雜的。

HALT不是通過/失敗測試，而是對產(chǎn)品進(jìn)行的一系列測試，以幫助提高產(chǎn)品的可靠性。

在芯片設(shè)計階段，就需要根據(jù)各自芯片的規(guī)格參數(shù)規(guī)劃好測試內(nèi)容和測試方法。

ThermoTST TS560溫度測試范圍-70℃到+225℃，滿足AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的各個等級環(huán)境工作溫度范圍。

芯片測試一般會分2大步驟，一個叫CP(Chip Probing)，一個叫FT(Final Test)。CP是針對晶圓的測試，F(xiàn)T是針對封裝好的芯片的測試。

ThermoTST高低溫循環(huán)沖擊機(jī)建議每 12 個月進(jìn)行一次保養(yǎng)及溫度校準(zhǔn)工作，更換如濾芯之類的耗材，時間間隔也取決于設(shè)備的應(yīng)用環(huán)境和使用時間。

在測試機(jī)和探針臺之間建立一組穩(wěn)定的信號連接關(guān)系，則需要臨時將被測試器件實際安裝在半導(dǎo)體測試裝置上，通過半導(dǎo)體測試裝置上設(shè)置的信號組件與被測試之間輸入輸出測試信號來執(zhí)行測試

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作已成為各行各業(yè)中不可或缺的重要組成部分，其中一些常見的術(shù)語及其含義能更好地理解半導(dǎo)體芯片的工作原理。

WAT又稱WAT工藝控制監(jiān)測，是通過測試晶圓上特定測試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評估半導(dǎo)體制造過程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)平臺的電性規(guī)格要求。

車規(guī)級芯片，是應(yīng)用到汽車中的芯片，不同于消費級和工業(yè)級，該類芯片對可靠性要求更高

高低溫?zé)崃鲀x到貨后，必須要進(jìn)行五大檢查后方可放心使用，最后一個尤為重要！

環(huán)境噪聲制訂標(biāo)準(zhǔn)的依據(jù)是環(huán)境基本噪聲。各國大都參考ISO推薦的基數(shù)（例如睡眠為30分貝），根據(jù)不同時間、不同地區(qū)和室內(nèi)噪聲受室外噪聲影響的修正值以及本國具體情況來制訂。

ThermoTST系列高低溫?zé)崃鲀x如何操作？三步就能熟練操作高低溫?zé)崃鲀x！

半導(dǎo)體顯微鏡品牌擁有著出色的性能、精確的分析和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

在晶圓制造完成之后，晶圓測試是一步非常重要的測試。晶圓測試也就是芯片測試（die sort）或晶圓電測（wafer sort）。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上，主要可分成IC設(shè)計、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。

針對功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實踐，多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計理念被國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu) 提出并研究，一些結(jié)構(gòu)設(shè)計方案已成功應(yīng)用在 商用功率器件上。

光通訊、芯片、集成電路、實驗室研究等領(lǐng)域在可靠性測試過程中多項測試要求都需要搭載高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)來完成

功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心組成部分，已經(jīng)廣泛應(yīng)用到生活、交通、電力、工業(yè)控制、航空航天、艦船等領(lǐng)域。

高導(dǎo)熱封裝材料及連接工藝、去鍵合線連接、大面積面接觸、多散熱路徑同時縮短散熱路程、降低散熱路徑的熱阻等可能是未來高壓高溫大功率器件封裝應(yīng)具備的關(guān)鍵特征。

為分析時鐘芯片的各項特性，高低溫循環(huán)沖擊機(jī)與其測試設(shè)備搭配，提供快速可靠的溫度環(huán)境。

隨著航空航天、汽車電子、軍用、光伏、工業(yè)自動化等許多領(lǐng)域技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片在各種極端溫度環(huán)境下的應(yīng)用也越來越廣泛。

ThermoTST TS760高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)應(yīng)用于產(chǎn)品的特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗

密封元器件在生產(chǎn)過程中有一個容易被生產(chǎn)方忽略并導(dǎo)致后續(xù)使用過程中引發(fā)元器件失效的風(fēng)險，就是密封元器件內(nèi)部出現(xiàn)的多余微小松散顆粒。

中冷高低溫沖擊設(shè)備廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信芯片、微電子器件、集成電路等行業(yè).

存儲器芯片在電子系統(tǒng)中負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲，是半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品的核心，其存儲量與讀取速度直接影響電子設(shè)備性能。

芯片測試幾乎都離不開溫度沖擊試驗，IGBT需要用溫度沖擊試驗機(jī)做一些環(huán)境可靠性試驗。

芳菲四月天，春光無限好，正是活動時，在這個春意盎然的季節(jié)。

電子元器件測試篩選服務(wù)提高產(chǎn)品使用可靠性，特別是針對進(jìn)口元器件，通過“二次篩選”保證產(chǎn)品質(zhì)量可控，提高裝備整體可靠性。

IGBT?損耗特性和溫度息息相關(guān),因此標(biāo)定出常 溫?25 ℃?和高溫?125 ℃?時的損耗值作為基礎(chǔ),并在?25 ℃和?125 ℃參數(shù)基礎(chǔ)上,通過線性化處理,獲得 全溫度范圍的損耗數(shù)據(jù)

在高低溫條件與駐留時間目前新的規(guī)范會要求是依據(jù)測試品表面溫度，而不是試驗設(shè)備測試區(qū)的空氣溫度。

半導(dǎo)體業(yè)的一個不可逆轉(zhuǎn)的趨勢是芯片復(fù)雜度持續(xù)提高，對芯片測試提出了更高的要求。

ThermoTST熱流儀搭配閂鎖測試系統(tǒng)進(jìn)行靜電測試增強(qiáng)的數(shù)據(jù)集功能提供了靈活性，以滿足當(dāng)今系統(tǒng)級芯片設(shè)計的測試需求。

Commercial、Industrial、Automotive是業(yè)界對芯片行業(yè)的簡單劃分，各自領(lǐng)域?qū)煽啃缘囊笠踩徊煌?/p>

隔熱風(fēng)罩在冷熱沖擊機(jī)系統(tǒng)中是一個很重要的組成部分，通常是用來防止環(huán)境空氣進(jìn)入，創(chuàng)建一個封閉的，可重復(fù)的，熱傳遞環(huán)境。

在芯片的國產(chǎn)化浪潮下，國產(chǎn)芯片的出貨量和替代率近年來迅速飆升。

汽車半導(dǎo)體的飛速發(fā)展，我們就不得不提到由于半導(dǎo)體的發(fā)展而帶來的一些挑戰(zhàn)，特別是測試行業(yè)的挑戰(zhàn)。

芯片測試用以評估芯片的壽命和可能的質(zhì)量風(fēng)險。

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST?系列熱流儀有更廣泛的溫度范圍，應(yīng)用廣泛，能滿足更多生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

ThermoTST TS系列高低溫測試機(jī)有著不同于傳統(tǒng)高低溫箱的獨特優(yōu)勢: 溫度變化速率快

ThermoTST系列高低溫測試機(jī)廣泛應(yīng)用于照明級大功率 ?LED 器件, LED 封裝的可靠性測試

ThermoTST高低溫測試機(jī)解決了傳統(tǒng)驗證方法缺陷問題，提供快速高低溫沖擊能力，作為一種必要的測試手段輔助生產(chǎn)通訊模塊

中冷低溫研發(fā)的ThermoTST系列熱流儀-精確的高低溫氣流循環(huán)系統(tǒng)，能夠精確控制熱、冷空氣，應(yīng)用在測試元器件、混合電路、模塊、PCB和裝配

ThermoTST高低溫循環(huán)測試系統(tǒng)與傳統(tǒng)高低溫測試箱存在很多差異，不論是工作原理還是產(chǎn)品特點，都是優(yōu)異于傳統(tǒng)溫箱的

ThermoTST是純機(jī)械制冷，無需液氮或任何其他消耗性制冷劑。

ThermoTST TS580 用于 100G/400G光模塊量產(chǎn)測試

中國作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者，半導(dǎo)體設(shè)備增速顯著高于全球。

元器件的可靠性是指在規(guī)定的時間內(nèi)和規(guī)定的條件下，產(chǎn)品完成規(guī)定功能的能力.

高低溫沖擊氣流儀用于IGBT、傳感器、小型模塊組件，進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗。

我們公司的隔熱玻璃風(fēng)罩尺寸從 3寸到 7 寸常規(guī)產(chǎn)品可適配于客戶各類產(chǎn)品尺寸，并且可以根據(jù)客戶現(xiàn)場產(chǎn)品尺寸進(jìn)行隔熱風(fēng)罩定制。

冷熱沖擊試驗機(jī)TS580搭配長川CTT3600測試機(jī)應(yīng)用于功率器件特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗

離子注入能精確控制摻雜的濃度分布和摻雜深度，因而適于制作極低的濃度和很淺的結(jié)深

IGBT功率模塊工作在多場耦合的環(huán)境中，封裝狀態(tài)參數(shù)受到多物理場控制。

現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)和監(jiān)測方式極大地提高了Si基功率模塊工作的穩(wěn)定性

露點換算為ppm按下式計算：P/1013×104

高低溫沖擊氣流儀 TS560 GPIB通訊（IEE488）完美兼容華峰測控, 操作簡單.

主流使用的封裝形式有焊接型和壓接型封裝

世界電子測量行業(yè)已經(jīng)發(fā)展了很多年了，到現(xiàn)在為止，市場高度集中

常用的可測性設(shè)計方法包括基于掃描鏈（scan chain）的測試方法和內(nèi)建自測試電路。

高低溫沖擊氣流儀搭配ATE進(jìn)行特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試、失效分析等可靠性試驗。

為解決高功率密度下 IGBT 功率模塊散熱問題，經(jīng)過多年的發(fā)展，形成了彈簧式和直接接觸式兩種壓接封裝。

可靠性（Reliability）則是對產(chǎn)品耐久力的測量,?我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線（Bathtub Curve）來表示

DFT技術(shù)簡單說就是在芯片設(shè)計中添加DFT邏輯，然后等芯片制造完成后，通過事先加入的DFT邏輯對芯片進(jìn)行測試，挑選出沒有問題的芯片。

WAT測試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺所有的有源器件和無源器件

WAT測試結(jié)構(gòu)通常包含該工藝平臺所有的有源器件和無源器件

芯片在封裝完畢后，需要進(jìn)行老化實驗，確保交到顧客手中的芯片工作性能的穩(wěn)定性和可靠性。

SOC的設(shè)計流程，包括數(shù)字電路設(shè)計前端和后端的全流程。

芯片測試是確保產(chǎn)品良率和成本控制的重要環(huán)節(jié)，主要目的是保證芯片在惡劣環(huán)境下能完全實現(xiàn)設(shè)計規(guī)格書所規(guī)定的功能及性能指標(biāo)

MEMS是一種制造技術(shù)，諸如杠桿、齒輪、活塞、發(fā)動機(jī)甚至蒸汽機(jī)都是由MEMS制造的。

在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導(dǎo)體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。

在自動化測試系統(tǒng)中，通常會對函數(shù)發(fā)生器指定幾項具體的規(guī)范，比如上升時間、帶寬、信號源阻抗和波幅準(zhǔn)確度。

關(guān)于電阻在電路中的作用，有一些基本常識，比如電阻作為濾波網(wǎng)絡(luò)的一部分可以減少噪音干擾，或作為衰減器將高電壓信號引入可接受范圍的連接設(shè)備中。

隨著SiC MOSFET制備技術(shù)的改進(jìn)和驅(qū)動問題的解決，其將在電力電子的高頻開關(guān)領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用

PXI—針對基于PCI/PCIe的模塊化測試儀器和開關(guān)平臺的開放式工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

TS-780做可靠性試驗不僅減少了器件潛在的各種誤差及失效機(jī)制，還有效地控制和保證器件的可靠性。

與基于硅的功率器件不同的是，SiC的氧化層可靠性試驗設(shè)置還必須涵蓋阻斷模式下的穩(wěn)定性

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是構(gòu)建我國戰(zhàn)略科技力量自立自強(qiáng)的核心支撐產(chǎn)業(yè)，而半導(dǎo)體零部件則是決定我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域

在市場競爭中，測試開發(fā)和量產(chǎn)測試是提升芯片設(shè)計公司的產(chǎn)品競爭力的重要環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位舉足輕重。

半導(dǎo)體零部件是指在材料、結(jié)構(gòu)、工藝、品質(zhì)和精度、可靠性及穩(wěn)定性等性能方面達(dá)到了半導(dǎo)體設(shè)備及技術(shù)要求的零部件

高低溫沖擊氣流儀如今十分活躍在電子元器件/模塊冷熱測試領(lǐng)域。

高低溫沖擊設(shè)備TS-560、TS-580、TS-760等都可以進(jìn)行芯片失效分析，同時提供特性分析、高低溫溫變測試、溫度沖擊測試等可靠性試驗

隨著集成電路制造技術(shù)的進(jìn)步，人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當(dāng)復(fù)雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度，多功能的集成塊僅是通過數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接，這就給判定集成電路的好壞帶來不少困難。

自古以來人們就掌握了測試技術(shù)，生產(chǎn)測試的目的是把好的物品和有瑕疵的物品分離出來，集成電路行業(yè)，測試的目標(biāo)是把功能正確的芯片和有瑕疵的芯片分離出來，保證客戶使用的是功能完整的芯片。